电气参数矩阵与工程级仿真支持
国精产品一二二区视在线,免费在线参数标准与选型规格
严格遵循国家射频微波元器件测试标准，涵盖DC至40GHz频段的GaAs pHEMT与GaN高频微波单片集成电路。全温区(-55℃~+125℃)动态工作范围稳定，提供涵盖增益、噪声系数、驻波比、线性度及抗烧毁功率的完备数据支撑。
Key Performance Indicators
全频带极限电气性能基准
国产射频LNA系列芯片在工艺演进中持续刷新噪声系数与动态线性度边界，支撑弱信号极端场景下的纯净放大。
0.35dB
超低噪声系数 (NF)
Sub-6GHz主流通信频段内实测最低值，大幅削弱接收前端系统热噪声。
+38dBm
高三阶交调截点 (OIP3)
保障大信号强干扰注入下的线性放大，提供出色的抗邻道串扰与阻塞裕量。
32dBm
连续波抗烧毁功率
集成片上自恢复限幅保护机制，无需前置大插损环行器即可抵御强脉冲射频过载。
≤1.35
输入输出电压驻波比
片上集成完整50Ω阻抗匹配网络，免除外围繁冗调谐微带线，简化级联设计。
Specifications Matrix
主打低噪声放大器电气特性对照表
典型常温(TA = +25℃)及VDD标称供电下的实测数据，包含芯片级Die与QFN表贴封装规格。
| 型号代码 | 工作频段 (GHz) | 小信号增益 (dB) | 噪声系数 NF (dB) | 输出 P1dB (dBm) | OIP3 (dBm) | 工作电压/电流 | 封装/裸片形式 | 量产交付状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RL-LNA-006A | 0.4 - 6.0 | 21.5 ± 0.5 | 0.38 | +19.5 | +36.0 | +3.3V / 45mA | DFN-8 (2x2mm) | 现货大批量 |
| RL-LNA-012H | 2.0 - 12.0 | 18.0 ± 0.8 | 0.95 | +17.0 | +30.5 | +5.0V / 60mA | QFN-16 (3x3mm) | 现货大批量 |
| RL-LNA-180X | 8.0 - 18.0 | 26.0 ± 1.0 | 1.25 | +16.5 | +28.0 | +3.0V / 52mA | Bare Die (裸片) | 定点量产 |
| RL-LNA-280K | 24.0 - 31.0 | 24.5 ± 0.8 | 1.80 | +14.0 | +25.0 | +3.3V / 65mA | Air-Cavity QFN | 批量供应 |
| RL-LNA-400M | 30.0 - 40.0 | 22.0 ± 1.2 | 2.30 | +12.5 | +23.0 | +3.0V / 70mA | Bare Die / 倒装焊 | 工程样片 |
* 所有参数基于标准评估夹具测试（含封装引脚电感效应与介质基板损耗）。
定制宽温与宇航加固等级可联系工程技术部定制。
Process & Architecture
本土先进晶圆工艺与热学强化封装
国精产品一二二区视在线,免费在线采用0.15μm与0.1μm自主低噪声GaAs pHEMT工艺节点，结合优化场板拓扑技术，在保证极限增益带宽积的同时显著降低寄生电容。片上集成宽带有源偏置电路，在全温变化范围内自适应调节栅极偏置电压，彻底解决高温工作点漂移导致的噪声劣化。
自偏置温度补偿网络
-55℃至+125℃增益漂移<1.2dB
高击穿氮化镓保护结
输入耐受峰值脉冲功率达36dBm
Technical FAQ
低噪声放大器关键参数解析与应用答疑
聚焦工程师在射频前端链路搭建、阻抗匹配与偏置拓扑时最关注的电气问题。
如何平衡LNA的噪声系数(NF)与输入回波损耗(S11)？
在晶体管级设计中，最佳噪声匹配阻抗(Gamma-opt)与最佳共轭增益匹配阻抗通常存在失配。国精产品一二二区视在线,免费在线采用源极电感负反馈拓扑与片上有损阻抗变换网络，在芯片内部将两者的距离收敛至极限，使器件在保持0.5dB级别极低NF的同时，输入VSWR优于1.4，省去外接复杂微带双工调谐电路。
低噪放的供电电源对输出相位噪声与杂散有何要求？
LNA属于高灵敏度模拟器件，电源纹波会通过跨导调制形成边带杂散。推荐在芯片VDD引脚紧邻布局三级去耦电容（例如100pF高频高Q微波瓷片、10nF叠层电容与10μF钽电容），并在板级前级采用低压差超低噪声线性稳压器(LDO)，纹波抑制比(PSRR)在100kHz处应高于60dB。
为什么部分毫米波型号要求单电源与负栅压时序？
为追求Ka波段极限跨导特性，部分超宽带耗尽型pHEMT晶体管需负电压建立栅极耗尽层。为消除复杂负压时序对系统工程师的困扰，国产低噪放新迭代版本已全面集成片上自偏置电荷泵电路，仅需单一路+3.3V或+5.0V正电源即可自主建立安全偏置，具备防倒灌电锁保护。
提供哪些芯片封装形式以适应宇航与车载振动环境？
工业标准提供2x2mm与3x3mm微型QFN/DFN塑封，热阻优于45℃/W；高可靠宇航与防务场景提供金锡共晶裸片(Bare Die)及气密封陶瓷柱栅阵列(CPGA/CQFN)封装，符合MIL-STD-883G可靠性筛选试验规范，经受抗中子辐照与抗总剂量考验。